MMBT5550LT1G

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Numero parte MMBT5550LT1G
LIXINC Part # MMBT5550LT1G
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MMBT5550LT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
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MMBT5550LT1G Specifiche

Numero parte:MMBT5550LT1G
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo a transistor:NPN
corrente - collettore (ic) (max):600 mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):140 V
vce saturazione (max) @ ib, ic:250mV @ 5mA, 50mA
corrente - taglio collettore (max):100nA
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:60 @ 10mA, 5V
potenza - max:225 mW
frequenza - transizione:-
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOT-23-3 (TO-236)

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