NJVMJD117T4G

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Numero parte NJVMJD117T4G
LIXINC Part # NJVMJD117T4G
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, PN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NJVMJD117T4G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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NJVMJD117T4G Specifiche

Numero parte:NJVMJD117T4G
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo a transistor:PNP - Darlington
corrente - collettore (ic) (max):2 A
tensione - guasto collettore emettitore (max):100 V
vce saturazione (max) @ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
corrente - taglio collettore (max):20µA
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
potenza - max:1.75 W
frequenza - transizione:25MHz
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK

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