2SA1312GRTE85LF

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Numero parte 2SA1312GRTE85LF
LIXINC Part # 2SA1312GRTE85LF
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2SA1312GRTE85LF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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2SA1312GRTE85LF Specifiche

Numero parte:2SA1312GRTE85LF
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo a transistor:PNP
corrente - collettore (ic) (max):100 mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):120 V
vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
corrente - taglio collettore (max):100nA (ICBO)
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 2mA, 6V
potenza - max:150 mW
frequenza - transizione:100MHz
temperatura di esercizio:125°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:S-Mini

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