2SJ190-TD-E

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Numero parte 2SJ190-TD-E
LIXINC Part # 2SJ190-TD-E
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2SJ190-TD-E Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

2SJ190-TD-E Specifiche

Numero parte:2SJ190-TD-E
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:*
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo a transistor:-
corrente - collettore (ic) (max):-
tensione - guasto collettore emettitore (max):-
vce saturazione (max) @ ib, ic:-
corrente - taglio collettore (max):-
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:-
potenza - max:-
frequenza - transizione:-
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:-
pacchetto/caso:-
pacchetto del dispositivo del fornitore:-

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