BSM200GA170DN2SE325HOSA1

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Numero parte BSM200GA170DN2SE325HOSA1
LIXINC Part # BSM200GA170DN2SE325HOSA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione IGBT MODULE
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSM200GA170DN2SE325HOSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BSM200GA170DN2SE325HOSA1 Specifiche

Numero parte:BSM200GA170DN2SE325HOSA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:*
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo a transistor:-
corrente - collettore (ic) (max):-
tensione - guasto collettore emettitore (max):-
vce saturazione (max) @ ib, ic:-
corrente - taglio collettore (max):-
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:-
potenza - max:-
frequenza - transizione:-
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:-
pacchetto/caso:-
pacchetto del dispositivo del fornitore:-

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