NJVMJD210T4G

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Numero parte NJVMJD210T4G
LIXINC Part # NJVMJD210T4G
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, PN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NJVMJD210T4G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NJVMJD210T4G Specifiche

Numero parte:NJVMJD210T4G
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo a transistor:PNP
corrente - collettore (ic) (max):5 A
tensione - guasto collettore emettitore (max):25 V
vce saturazione (max) @ ib, ic:1.8V @ 1A, 5A
corrente - taglio collettore (max):100nA (ICBO)
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:45 @ 2A, 1V
potenza - max:1.4 W
frequenza - transizione:65MHz
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK

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