2SA1955FVBTPL3Z

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Numero parte 2SA1955FVBTPL3Z
LIXINC Part # 2SA1955FVBTPL3Z
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2SA1955FVBTPL3Z Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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2SA1955FVBTPL3Z Specifiche

Numero parte:2SA1955FVBTPL3Z
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo a transistor:PNP
corrente - collettore (ic) (max):400 mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):12 V
vce saturazione (max) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 200mA
corrente - taglio collettore (max):100nA (ICBO)
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:300 @ 10mA, 2V
potenza - max:100 mW
frequenza - transizione:130MHz
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SOT-723
pacchetto del dispositivo del fornitore:VESM

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