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Numero parte | PDTA123ES,126 |
LIXINC Part # | PDTA123ES,126 |
Produttore | NXP Semiconductors |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - bipolari (bjt) - singoli, pre-polarizzati |
Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | PDTA123ES,126 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | PDTA123ES,126 |
Marca: | NXP Semiconductors |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - bipolari (bjt) - singoli, pre-polarizzati |
Produttore: | NXP Semiconductors |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Box (TB) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo a transistor: | PNP - Pre-Biased |
corrente - collettore (ic) (max): | 100 mA |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 50 V |
resistenza - base (r1): | 2.2 kOhms |
resistenza - base emettitore (r2): | 2.2 kOhms |
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce: | 30 @ 20mA, 5V |
vce saturazione (max) @ ib, ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
corrente - taglio collettore (max): | 1µA |
frequenza - transizione: | - |
potenza - max: | 500 mW |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto/caso: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-92-3 |
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In magazzino | 10998 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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