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Numero parte | DTC123JUBTL |
LIXINC Part # | DTC123JUBTL |
Produttore | ROHM Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - bipolari (bjt) - singoli, pre-polarizzati |
Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | DTC123JUBTL Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | DTC123JUBTL |
Marca: | ROHM Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - bipolari (bjt) - singoli, pre-polarizzati |
Produttore: | ROHM Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Not For New Designs |
tipo a transistor: | NPN - Pre-Biased |
corrente - collettore (ic) (max): | 100 mA |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 50 V |
resistenza - base (r1): | 2.2 kOhms |
resistenza - base emettitore (r2): | 47 kOhms |
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce: | 80 @ 10mA, 5V |
vce saturazione (max) @ ib, ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
corrente - taglio collettore (max): | 500nA |
frequenza - transizione: | 250 MHz |
potenza - max: | 200 mW |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | SC-85 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | UMT3F |
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In magazzino | 10829 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.20000 | $0.2 |
3000 | $0.03315 | $99.45 |
6000 | $0.02990 | $179.4 |
15000 | $0.02600 | $390 |
30000 | $0.02340 | $702 |
75000 | $0.02080 | $1560 |
150000 | $0.01820 | $2730 |
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