HSG1002VE-TL-E

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Numero parte HSG1002VE-TL-E
LIXINC Part # HSG1002VE-TL-E
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - rf
Descrizione RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HSG1002VE-TL-E Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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HSG1002VE-TL-E Specifiche

Numero parte:HSG1002VE-TL-E
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - rf
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo a transistor:NPN
tensione - guasto collettore emettitore (max):3.5V
frequenza - transizione:38GHz
figura di rumore (db typ @ f):0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
guadagno:8dB ~ 19.5dB
potenza - max:200mW
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 5mA, 2V
corrente - collettore (ic) (max):35mA
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:4-SMD, Gull Wing
pacchetto del dispositivo del fornitore:4-MFPAK

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