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Numero parte | HSG1002VE-TL-E |
LIXINC Part # | HSG1002VE-TL-E |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - bipolare (bjt) - rf |
Descrizione | RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | HSG1002VE-TL-E Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | HSG1002VE-TL-E |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - bipolare (bjt) - rf |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo a transistor: | NPN |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 3.5V |
frequenza - transizione: | 38GHz |
figura di rumore (db typ @ f): | 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz |
guadagno: | 8dB ~ 19.5dB |
potenza - max: | 200mW |
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce: | 100 @ 5mA, 2V |
corrente - collettore (ic) (max): | 35mA |
temperatura di esercizio: | - |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 4-SMD, Gull Wing |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 4-MFPAK |
NESG2101M05-T1-A | NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO | 9979 Maggiori informazioni su Ordine |
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MS1015E | TRANSISTOR | 842 Maggiori informazioni su Ordine |
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SD1330-05H | RF POWER TRANSISTOR | 974 Maggiori informazioni su Ordine |
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MS1030 | RF POWER TRANSISTOR | 918 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 520585 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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