HN3C10FUTE85LF

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Numero parte HN3C10FUTE85LF
LIXINC Part # HN3C10FUTE85LF
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - rf
Descrizione RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HN3C10FUTE85LF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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HN3C10FUTE85LF Specifiche

Numero parte:HN3C10FUTE85LF
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - rf
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo a transistor:2 NPN (Dual)
tensione - guasto collettore emettitore (max):12V
frequenza - transizione:7GHz
figura di rumore (db typ @ f):1.1dB @ 1GHz
guadagno:11.5dB
potenza - max:200mW
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 20mA, 10V
corrente - collettore (ic) (max):80mA
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacchetto del dispositivo del fornitore:US6

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