MT3S113P(TE12L,F)

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Numero parte MT3S113P(TE12L,F)
LIXINC Part # MT3S113P(TE12L,F)
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - rf
Descrizione RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MT3S113P(TE12L,F) Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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MT3S113P(TE12L,F) Specifiche

Numero parte:MT3S113P(TE12L,F)
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - rf
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo a transistor:NPN
tensione - guasto collettore emettitore (max):5.3V
frequenza - transizione:7.7GHz
figura di rumore (db typ @ f):1.45dB @ 1GHz
guadagno:10.5dB
potenza - max:1.6W
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
corrente - collettore (ic) (max):100mA
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-243AA
pacchetto del dispositivo del fornitore:PW-MINI

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