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Numero parte | HBDM60V600W-7 |
LIXINC Part # | HBDM60V600W-7 |
Produttore | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - bipolari (bjt) - array |
Descrizione | TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | HBDM60V600W-7 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 11 - Sep 15 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | HBDM60V600W-7 |
Marca: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - bipolari (bjt) - array |
Produttore: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo a transistor: | NPN, PNP |
corrente - collettore (ic) (max): | 500mA, 600mA |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 65V, 60V |
vce saturazione (max) @ ib, ic: | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
corrente - taglio collettore (max): | 100nA |
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce: | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
potenza - max: | 200mW |
frequenza - transizione: | 100MHz |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-363 |
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In magazzino | 2147484496 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.37000 | $0.37 |
3000 | $0.11595 | $347.85 |
6000 | $0.10965 | $657.9 |
15000 | $0.10335 | $1550.25 |
30000 | $0.09600 | $2880 |
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