HN1C03FU-B,LF

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Numero parte HN1C03FU-B,LF
LIXINC Part # HN1C03FU-B,LF
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolari (bjt) - array
Descrizione NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HN1C03FU-B,LF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
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HN1C03FU-B,LF Specifiche

Numero parte:HN1C03FU-B,LF
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolari (bjt) - array
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo a transistor:2 NPN (Dual)
corrente - collettore (ic) (max):300mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):20V
vce saturazione (max) @ ib, ic:100mV @ 3mA, 30A
corrente - taglio collettore (max):100nA (ICBO)
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:350 @ 4mA, 2V
potenza - max:200mW
frequenza - transizione:30MHz
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacchetto del dispositivo del fornitore:US6

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