HN1B01FU-Y(L,F,T)

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Numero parte HN1B01FU-Y(L,F,T)
LIXINC Part # HN1B01FU-Y(L,F,T)
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolari (bjt) - array
Descrizione TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HN1B01FU-Y(L,F,T) Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
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HN1B01FU-Y(L,F,T) Specifiche

Numero parte:HN1B01FU-Y(L,F,T)
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolari (bjt) - array
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo a transistor:NPN, PNP
corrente - collettore (ic) (max):150mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):50V
vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 10mA, 100mA
corrente - taglio collettore (max):100nA (ICBO)
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 2mA, 6V
potenza - max:200mW
frequenza - transizione:120MHz
temperatura di esercizio:125°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacchetto del dispositivo del fornitore:US6

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