BCR35PNE6327BTSA1

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Numero parte BCR35PNE6327BTSA1
LIXINC Part # BCR35PNE6327BTSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BCR35PNE6327BTSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
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BCR35PNE6327BTSA1 Specifiche

Numero parte:BCR35PNE6327BTSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo a transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
corrente - collettore (ic) (max):100mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):50V
resistenza - base (r1):10kOhms
resistenza - base emettitore (r2):47kOhms
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 5mA, 5V
vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
corrente - taglio collettore (max):-
frequenza - transizione:150MHz
potenza - max:250mW
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT363-6

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