EMB3T2R

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Numero parte EMB3T2R
LIXINC Part # EMB3T2R
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD EMB3T2R Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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EMB3T2R Specifiche

Numero parte:EMB3T2R
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:*
pacchetto:Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo a transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
corrente - collettore (ic) (max):100mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):50V
resistenza - base (r1):4.7kOhms
resistenza - base emettitore (r2):-
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 5mA
corrente - taglio collettore (max):-
frequenza - transizione:250MHz
potenza - max:150mW
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SOT-563, SOT-666
pacchetto del dispositivo del fornitore:EMT6

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