RN1901FETE85LF

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Numero parte RN1901FETE85LF
LIXINC Part # RN1901FETE85LF
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RN1901FETE85LF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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RN1901FETE85LF Specifiche

Numero parte:RN1901FETE85LF
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo a transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
corrente - collettore (ic) (max):100mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):50V
resistenza - base (r1):4.7kOhms
resistenza - base emettitore (r2):4.7kOhms
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:30 @ 10mA, 5V
vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
corrente - taglio collettore (max):100nA (ICBO)
frequenza - transizione:250MHz
potenza - max:100mW
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SOT-563, SOT-666
pacchetto del dispositivo del fornitore:ES6

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