EMG3T2R

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Numero parte EMG3T2R
LIXINC Part # EMG3T2R
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD EMG3T2R Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

EMG3T2R Specifiche

Numero parte:EMG3T2R
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo a transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
corrente - collettore (ic) (max):100mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):50V
resistenza - base (r1):4.7kOhms
resistenza - base emettitore (r2):-
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
vce saturazione (max) @ ib, ic:150mV @ 250µA, 5mA
corrente - taglio collettore (max):500nA (ICBO)
frequenza - transizione:250MHz
potenza - max:150mW
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SC-75, SOT-416
pacchetto del dispositivo del fornitore:EMT3

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