MUN5312DW1T2G

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Numero parte MUN5312DW1T2G
LIXINC Part # MUN5312DW1T2G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati
Descrizione TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MUN5312DW1T2G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 07 - Jul 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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MUN5312DW1T2G Specifiche

Numero parte:MUN5312DW1T2G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo a transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
corrente - collettore (ic) (max):100mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):50V
resistenza - base (r1):22kOhms
resistenza - base emettitore (r2):22kOhms
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:60 @ 5mA, 10V
vce saturazione (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
corrente - taglio collettore (max):500nA
frequenza - transizione:-
potenza - max:385mW
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacchetto del dispositivo del fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363

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