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Numero parte | RN1711JE(TE85L,F) |
LIXINC Part # | RN1711JE(TE85L,F) |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati |
Descrizione | TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | RN1711JE(TE85L,F) Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | RN1711JE(TE85L,F) |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo a transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
corrente - collettore (ic) (max): | 100mA |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 50V |
resistenza - base (r1): | 10kOhms |
resistenza - base emettitore (r2): | - |
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce: | 120 @ 1mA, 5V |
vce saturazione (max) @ ib, ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
corrente - taglio collettore (max): | 100nA (ICBO) |
frequenza - transizione: | 250MHz |
potenza - max: | 100mW |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | SOT-553 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | ESV |
PBLS4002D,115 | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | 42217 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 18901 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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