NSVMUN5133DW1T1G

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Numero parte NSVMUN5133DW1T1G
LIXINC Part # NSVMUN5133DW1T1G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati
Descrizione TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NSVMUN5133DW1T1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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NSVMUN5133DW1T1G Specifiche

Numero parte:NSVMUN5133DW1T1G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo a transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
corrente - collettore (ic) (max):100mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):50V
resistenza - base (r1):4.7kOhms
resistenza - base emettitore (r2):47kOhms
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
vce saturazione (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
corrente - taglio collettore (max):500nA
frequenza - transizione:-
potenza - max:250mW
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacchetto del dispositivo del fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363

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