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Numero parte | BZD17C4V7P-E3-18 |
LIXINC Part # | BZD17C4V7P-E3-18 |
Produttore | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - zener - singolo |
Descrizione | DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BZD17C4V7P-E3-18 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 24 - Sep 28 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | BZD17C4V7P-E3-18 |
Marca: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - zener - singolo |
Produttore: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Active |
tensione - zener (nom) (vz): | 4.7 V |
tolleranza: | - |
potenza - max: | 800 mW |
impedenza (max) (zzt): | - |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 10 µA @ 10 V |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 1.2 V @ 200 mA |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | DO-219AB |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | DO-219AB (SMF) |
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In magazzino | 10828 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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