NXPSC08650DJ

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Numero parte NXPSC08650DJ
LIXINC Part # NXPSC08650DJ
Produttore WeEn Semiconductors Co., Ltd
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NXPSC08650DJ Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NXPSC08650DJ Specifiche

Numero parte:NXPSC08650DJ
Marca:WeEn Semiconductors Co., Ltd
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:WeEn Semiconductors Co., Ltd
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Discontinued at Digi-Key
tipo diodo:Silicon Carbide Schottky
tensione - dc inversa (vr) (max):650 V
corrente - media rettificata (io):8A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.7 V @ 8 A
velocità:No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):0 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:230 µA @ 650 V
capacità @ vr, f:260pF @ 1V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK
temperatura di esercizio - giunzione:175°C (Max)

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