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Numero parte | JAN1N5550US |
LIXINC Part # | JAN1N5550US |
Produttore | Roving Networks / Microchip Technology |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli |
Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | JAN1N5550US Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 24 - Oct 28 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | JAN1N5550US |
Marca: | Roving Networks / Microchip Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - raddrizzatori - singoli |
Produttore: | Roving Networks / Microchip Technology |
serie: | Military, MIL-PRF-19500/420 |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Discontinued at Digi-Key |
tipo diodo: | Standard |
tensione - dc inversa (vr) (max): | 200 V |
corrente - media rettificata (io): | 3A |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 1.2 V @ 9 A |
velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
tempo di ripristino inverso (trr): | 2 µs |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 1 µA @ 200 V |
capacità @ vr, f: | - |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | SQ-MELF, B |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | D-5B |
temperatura di esercizio - giunzione: | -65°C ~ 175°C |
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CPD93V-1N3600-CT | SWITCHING DIODE | 863 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 10993 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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