JAN1N5550US

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Numero parte JAN1N5550US
LIXINC Part # JAN1N5550US
Produttore Roving Networks / Microchip Technology
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD JAN1N5550US Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 24 - Oct 28 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

JAN1N5550US Specifiche

Numero parte:JAN1N5550US
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Roving Networks / Microchip Technology
serie:Military, MIL-PRF-19500/420
pacchetto:Bulk
stato della parte:Discontinued at Digi-Key
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):200 V
corrente - media rettificata (io):3A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.2 V @ 9 A
velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):2 µs
corrente - dispersione inversa @ vr:1 µA @ 200 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SQ-MELF, B
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-5B
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C

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