1N6080US

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Numero parte 1N6080US
LIXINC Part # 1N6080US
Produttore Roving Networks / Microchip Technology
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1N6080US Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 23 - Oct 27 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

1N6080US Specifiche

Numero parte:1N6080US
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Roving Networks / Microchip Technology
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Discontinued at Digi-Key
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):100 V
corrente - media rettificata (io):2A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.5 V @ 37.7 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):30 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:10 µA @ 100 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SQ-MELF, G
pacchetto del dispositivo del fornitore:G-MELF (D-5C)
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 155°C

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