1N8026-GA

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Numero parte 1N8026-GA
LIXINC Part # 1N8026-GA
Produttore GeneSiC Semiconductor
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1N8026-GA Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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1N8026-GA Specifiche

Numero parte:1N8026-GA
Marca:GeneSiC Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:GeneSiC Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo diodo:Silicon Carbide Schottky
tensione - dc inversa (vr) (max):1200 V
corrente - media rettificata (io):8A (DC)
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.6 V @ 2.5 A
velocità:No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):0 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:10 µA @ 1200 V
capacità @ vr, f:237pF @ 1V, 1MHz
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-257-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-257
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 250°C

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