D850N30TXPSA1

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Numero parte D850N30TXPSA1
LIXINC Part # D850N30TXPSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 3KV 850A
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD D850N30TXPSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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D850N30TXPSA1 Specifiche

Numero parte:D850N30TXPSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):3000 V
corrente - media rettificata (io):850A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.28 V @ 850 A
velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):-
corrente - dispersione inversa @ vr:50 mA @ 3000 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:DO-200AB, B-PUK
pacchetto del dispositivo del fornitore:-
temperatura di esercizio - giunzione:-40°C ~ 160°C

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