D251N18BXPSA1

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Numero parte D251N18BXPSA1
LIXINC Part # D251N18BXPSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 1.8KV 255A
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD D251N18BXPSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
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D251N18BXPSA1 Specifiche

Numero parte:D251N18BXPSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):1800 V
corrente - media rettificata (io):255A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:-
velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):-
corrente - dispersione inversa @ vr:30 mA @ 1800 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Stud Mount
pacchetto/caso:DO-205AA, DO-8, Stud
pacchetto del dispositivo del fornitore:-
temperatura di esercizio - giunzione:-40°C ~ 180°C

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