1N6629US

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Numero parte 1N6629US
LIXINC Part # 1N6629US
Produttore Microsemi
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1N6629US Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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1N6629US Specifiche

Numero parte:1N6629US
Marca:Microsemi
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Microsemi
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Discontinued at Digi-Key
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):880 V
corrente - media rettificata (io):1.4A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.4 V @ 1.4 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):50 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:2 µA @ 880 V
capacità @ vr, f:40pF @ 10V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SQ-MELF, A
pacchetto del dispositivo del fornitore:A-MELF
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 150°C

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