VS-8EWS10STRR-M3

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Numero parte VS-8EWS10STRR-M3
LIXINC Part # VS-8EWS10STRR-M3
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD VS-8EWS10STRR-M3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

VS-8EWS10STRR-M3 Specifiche

Numero parte:VS-8EWS10STRR-M3
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):1000 V
corrente - media rettificata (io):8A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.1 V @ 8 A
velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):-
corrente - dispersione inversa @ vr:50 µA @ 1000 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-PAK (TO-252AA)
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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