S1BHE3_A/H

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Numero parte S1BHE3_A/H
LIXINC Part # S1BHE3_A/H
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD S1BHE3_A/H Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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S1BHE3_A/H Specifiche

Numero parte:S1BHE3_A/H
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):100 V
corrente - media rettificata (io):1A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.1 V @ 1 A
velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):1.8 µs
corrente - dispersione inversa @ vr:1 µA @ 100 V
capacità @ vr, f:12pF @ 4V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:DO-214AC, SMA
pacchetto del dispositivo del fornitore:DO-214AC (SMA)
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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