NSB8JT-E3/45

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Numero parte NSB8JT-E3/45
LIXINC Part # NSB8JT-E3/45
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NSB8JT-E3/45 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 04 - Jul 08 2024(Scegli spedizione rapida)
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NSB8JT-E3/45 Specifiche

Numero parte:NSB8JT-E3/45
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):600 V
corrente - media rettificata (io):8A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.1 V @ 8 A
velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):-
corrente - dispersione inversa @ vr:10 µA @ 600 V
capacità @ vr, f:55pF @ 4V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263AB
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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