1N5809US

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Numero parte 1N5809US
LIXINC Part # 1N5809US
Produttore Roving Networks / Microchip Technology
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1N5809US Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Aug 15 - Aug 19 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

1N5809US Specifiche

Numero parte:1N5809US
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Roving Networks / Microchip Technology
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):100 V
corrente - media rettificata (io):3A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:875 mV @ 4 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):30 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:5 µA @ 100 V
capacità @ vr, f:60pF @ 10V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SQ-MELF, B
pacchetto del dispositivo del fornitore:B, SQ-MELF
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C

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