NXPSC126506Q

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Numero parte NXPSC126506Q
LIXINC Part # NXPSC126506Q
Produttore WeEn Semiconductors Co., Ltd
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione SILICON CARBIDE POWER DIODE
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NXPSC126506Q Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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NXPSC126506Q Specifiche

Numero parte:NXPSC126506Q
Marca:WeEn Semiconductors Co., Ltd
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:WeEn Semiconductors Co., Ltd
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo diodo:Silicon Carbide Schottky
tensione - dc inversa (vr) (max):650 V
corrente - media rettificata (io):12A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.7 V @ 12 A
velocità:No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):0 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:80 µA @ 650 V
capacità @ vr, f:380pF @ 1V, 1MHz
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-220-2
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AC
temperatura di esercizio - giunzione:175°C (Max)

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