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Numero parte | NXPSC126506Q |
LIXINC Part # | NXPSC126506Q |
Produttore | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli |
Descrizione | SILICON CARBIDE POWER DIODE |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NXPSC126506Q Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NXPSC126506Q |
Marca: | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - raddrizzatori - singoli |
Produttore: | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
tensione - dc inversa (vr) (max): | 650 V |
corrente - media rettificata (io): | 12A |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 1.7 V @ 12 A |
velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
tempo di ripristino inverso (trr): | 0 ns |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 80 µA @ 650 V |
capacità @ vr, f: | 380pF @ 1V, 1MHz |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto/caso: | TO-220-2 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220AC |
temperatura di esercizio - giunzione: | 175°C (Max) |
MBRD560TR | DIODE SCHOTTKY 60V 5A DPAK | 1967 Maggiori informazioni su Ordine |
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STTH1R04A | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | 11473 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 13809 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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