VS-SD303C08S10C

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Numero parte VS-SD303C08S10C
LIXINC Part # VS-SD303C08S10C
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 800V 350A DO200AA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD VS-SD303C08S10C Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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VS-SD303C08S10C Specifiche

Numero parte:VS-SD303C08S10C
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):800 V
corrente - media rettificata (io):350A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:2.26 V @ 1100 A
velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):1 µs
corrente - dispersione inversa @ vr:35 mA @ 800 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Clamp On
pacchetto/caso:DO-200AA, A-PUK
pacchetto del dispositivo del fornitore:DO-200AA, A-PUK
temperatura di esercizio - giunzione:-

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