NXPSC10650D6J

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Numero parte NXPSC10650D6J
LIXINC Part # NXPSC10650D6J
Produttore WeEn Semiconductors Co., Ltd
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NXPSC10650D6J Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NXPSC10650D6J Specifiche

Numero parte:NXPSC10650D6J
Marca:WeEn Semiconductors Co., Ltd
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:WeEn Semiconductors Co., Ltd
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo diodo:Silicon Carbide Schottky
tensione - dc inversa (vr) (max):650 V
corrente - media rettificata (io):10A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.7 V @ 10 A
velocità:No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):0 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:250 µA @ 650 V
capacità @ vr, f:300pF @ 1V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK
temperatura di esercizio - giunzione:175°C (Max)

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