NHPM120T3G

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Numero parte NHPM120T3G
LIXINC Part # NHPM120T3G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NHPM120T3G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 21 - Oct 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NHPM120T3G Specifiche

Numero parte:NHPM120T3G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):200 V
corrente - media rettificata (io):1A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1 V @ 1 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):25 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:500 nA @ 200 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:DO-216AA
pacchetto del dispositivo del fornitore:Powermite
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C

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