VS-10ETF12S-M3

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Numero parte VS-10ETF12S-M3
LIXINC Part # VS-10ETF12S-M3
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD VS-10ETF12S-M3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

VS-10ETF12S-M3 Specifiche

Numero parte:VS-10ETF12S-M3
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):1200 V
corrente - media rettificata (io):10A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.33 V @ 10 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):310 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:100 µA @ 1200 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK
temperatura di esercizio - giunzione:-40°C ~ 150°C

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