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Numero parte | CUHS20F30,H3F |
LIXINC Part # | CUHS20F30,H3F |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli |
Descrizione | SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30V/2A, |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | CUHS20F30,H3F Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | CUHS20F30,H3F |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - raddrizzatori - singoli |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo diodo: | Schottky |
tensione - dc inversa (vr) (max): | 30 V |
corrente - media rettificata (io): | 2A |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 470 mV @ 2 A |
velocità: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
tempo di ripristino inverso (trr): | - |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 60 µA @ 30 V |
capacità @ vr, f: | 380pF @ 0V, 1MHz |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 2-SMD, Flat Lead |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | US2H |
temperatura di esercizio - giunzione: | 150°C (Max) |
VS-6EWH06FNTRLHM3 | DIODE GEN PURP 600V 6A D-PAK | 888 Maggiori informazioni su Ordine |
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BAV23I | DIODE GP 200V 225MA SOT23-3 | 1036 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 14267 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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