ISL9R18120G2

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Numero parte ISL9R18120G2
LIXINC Part # ISL9R18120G2
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 1200V 18A TO247-2
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD ISL9R18120G2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 28 - Nov 01 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

ISL9R18120G2 Specifiche

Numero parte:ISL9R18120G2
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Stealth™
pacchetto:Tube
stato della parte:Last Time Buy
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):1200 V
corrente - media rettificata (io):18A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:3.3 V @ 18 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):70 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:100 µA @ 1200 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-247-2
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247-2
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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