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Numero parte | JANS1N5615 |
LIXINC Part # | JANS1N5615 |
Produttore | Roving Networks / Microchip Technology |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli |
Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | JANS1N5615 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 27 - Oct 31 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | JANS1N5615 |
Marca: | Roving Networks / Microchip Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - raddrizzatori - singoli |
Produttore: | Roving Networks / Microchip Technology |
serie: | Military, MIL-PRF-19500/429 |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo diodo: | Standard |
tensione - dc inversa (vr) (max): | 200 V |
corrente - media rettificata (io): | 1A |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 1.6 V @ 3 A |
velocità: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
tempo di ripristino inverso (trr): | 150 ns |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 500 nA @ 200 V |
capacità @ vr, f: | 45pF @ 12V, 1MHz |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto/caso: | A, Axial |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | - |
temperatura di esercizio - giunzione: | -65°C ~ 175°C |
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SJPL-H6V | DIODE GEN PURP 600V 2A SJP | 976 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10997 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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