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Numero parte | NSB8MT-E3/45 |
LIXINC Part # | NSB8MT-E3/45 |
Produttore | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli |
Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NSB8MT-E3/45 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NSB8MT-E3/45 |
Marca: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - raddrizzatori - singoli |
Produttore: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo diodo: | Standard |
tensione - dc inversa (vr) (max): | 1000 V |
corrente - media rettificata (io): | 8A |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 1.1 V @ 8 A |
velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
tempo di ripristino inverso (trr): | - |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 10 µA @ 1000 V |
capacità @ vr, f: | 55pF @ 4V, 1MHz |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-263AB |
temperatura di esercizio - giunzione: | -55°C ~ 150°C |
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In magazzino | 10858 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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