1N5802US | Roving Networks / Microchip Technology 1N5802US

1N5802US

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Numero parte	1N5802US
LIXINC Part #	1N5802US
Produttore	Roving Networks / Microchip Technology
Categoria	semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione	DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	1N5802US Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 05 - Jul 09 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

1N5802US Specifiche

Numero parte:	1N5802US
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo diodo:	Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):	50 V
corrente - media rettificata (io):	1A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:	875 mV @ 1 A
velocità:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):	25 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:	1 µA @ 50 V
capacità @ vr, f:	25pF @ 10V, 1MHz
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	SQ-MELF, A
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D-5A
temperatura di esercizio - giunzione:	-65°C ~ 175°C

1N485A	DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7	863 Maggiori informazioni su Ordine
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SDUR2030	UF RECOVERY RECTIFIER 300V TO-22	2901 Maggiori informazioni su Ordine
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BYV10EX-600PQ	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F	943 Maggiori informazioni su Ordine
BYG10M	DIODE STD SMA 1000V 1.5A	836 Maggiori informazioni su Ordine
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BYM10-800HE3/97	DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB	941 Maggiori informazioni su Ordine
P2500B-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	860 Maggiori informazioni su Ordine
SS210-LTP	DIODE SCHOTTKY 2A 100V SMA	21405 Maggiori informazioni su Ordine