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Numero parte | MSRT20060(A)D |
LIXINC Part # | MSRT20060(A)D |
Produttore | GeneSiC Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - array |
Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | MSRT20060(A)D Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | MSRT20060(A)D |
Marca: | GeneSiC Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - raddrizzatori - array |
Produttore: | GeneSiC Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
configurazione diodi: | 1 Pair Series Connection |
tipo diodo: | Standard |
tensione - dc inversa (vr) (max): | 600 V |
corrente - media rettificata (io) (per diodo): | 200A |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 1.1 V @ 200 A |
velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
tempo di ripristino inverso (trr): | - |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 10 µA @ 600 V |
temperatura di esercizio - giunzione: | -55°C ~ 150°C |
tipo di montaggio: | Chassis Mount |
pacchetto/caso: | Three Tower |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | Three Tower |
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In magazzino | 10811 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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