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IRFB3507PBF

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Numero parte	IRFB3507PBF
LIXINC Part #	IRFB3507PBF
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRFB3507PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRFB3507PBF Specifiche

Numero parte:	IRFB3507PBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	75 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	97A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	8.8mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	130 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3540 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	190W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220AB
pacchetto/caso:	TO-220-3

FQPF44N10	MOSFET N-CH 100V 27A TO220F	830 Maggiori informazioni su Ordine
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SUD42N03-3M9P-GE3	MOSFET N-CH 30V 42A TO252	980 Maggiori informazioni su Ordine
FQB12N60TM_AM002	MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK	882 Maggiori informazioni su Ordine
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PMN27XPEAX	MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP	816 Maggiori informazioni su Ordine
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IRFZ44RSTRR	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK	929 Maggiori informazioni su Ordine
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SI1417EDH-T1-E3	MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6	945 Maggiori informazioni su Ordine