BSP295E6327T

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Numero parte BSP295E6327T
LIXINC Part # BSP295E6327T
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSP295E6327T Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BSP295E6327T Specifiche

Numero parte:BSP295E6327T
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:SIPMOS®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:300mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:1.8V @ 400µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:368 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT223-4
pacchetto/caso:TO-261-4, TO-261AA

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