CYDM128B16-55BVXI

CYDM128B16-55BVXI
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Numero parte CYDM128B16-55BVXI
LIXINC Part # CYDM128B16-55BVXI
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CYDM128B16-55BVXI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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CYDM128B16-55BVXI Specifiche

Numero parte:CYDM128B16-55BVXI
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Dual Port, MoBL
Dimensione della memoria:128Kb (8K x 16)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:55ns
tempo di accesso:55 ns
tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:100-VFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:100-VFBGA (6x6)

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