RFN1L6STE25

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Numero parte RFN1L6STE25
LIXINC Part # RFN1L6STE25
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RFN1L6STE25 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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RFN1L6STE25 Specifiche

Numero parte:RFN1L6STE25
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Not For New Designs
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):600 V
corrente - media rettificata (io):800mA
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.45 V @ 800 mA
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):35 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:1 µA @ 600 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:DO-214AC, SMA
pacchetto del dispositivo del fornitore:PMDS
temperatura di esercizio - giunzione:150°C (Max)

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