BUK6D120-60PX

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Numero parte BUK6D120-60PX
LIXINC Part # BUK6D120-60PX
Produttore Nexperia
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BUK6D120-60PX Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BUK6D120-60PX Specifiche

Numero parte:BUK6D120-60PX
Marca:Nexperia
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Nexperia
serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3A (Ta), 8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:120mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:724 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.3W (Ta), 15W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DFN2020MD-6
pacchetto/caso:6-UDFN Exposed Pad

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